深圳市凯斯宇科技有限公司

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-251-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：11 A
Rds上漏源导通电阻：175毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：12.7 nC
Pd-功率耗散：38 W
封装：Tube
配置：单
高度：6.22毫米
长度：6.73 mm
晶体管类型：1 P通道
宽度：2.38毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFU9024NPBF SP001557756
单位重量：4 g
特征

超低导通电阻
P-通道
表面安装（IRFR9024N）
直导线（IRFU9024N）
先进工艺技术
快速切换
完全雪崩额定值
无铅

说明
来自国际整流器的第五代HEXFET利用先进的工艺技术，

实现了每硅面积的极低导通电阻。这一优点，加上

HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度和加固的

器件设计，为设计人员提供了一个非常高效和可靠的

设备，可用于多种应用中D-pak设计用于使用气相和红外

等表面安装，或波峰焊接技术直引线版本（RFU系列）

适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，

功耗水平可达到1.5瓦

额定值sparametermaxunitsi C To=25 C

连续漏极电流，Vos 0-10vIb O Tc=100C连续漏极

电流Vs 0-10v脉冲漏极电流①Pc@To=25℃功耗38

线性降额系数pcgate-To-source电压±20EASingle

脉冲雪崩能量@62MJ6.6重复雪崩能量o3.8dv/dtPeak

二极管恢复dict e10vn工作结和-55to+150stg存储温度

范围温度，持续10秒300距外壳1.5毫米热阻参数

单位功能至外壳3.3恢复至环境温度PCB安装连接至

环境温度110°C。