深圳市凯斯宇科技有限公司

14年

深圳市凯斯宇科技有限公司

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企业档案

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AUIRF1405ZS MOSFET   ▊进口原装现货▊
AUIRF1405ZS MOSFET   ▊进口原装现货▊
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AUIRF1405ZS MOSFET ▊进口原装现货▊

型号/规格:

AUIRF1405ZS

品牌/商标:

IR

封装形式:

TO-263

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

直插式

包装方式:

卷带编带包装

产品信息

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-263-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续直流电流:150 A
Rds上漏源导通电阻:5.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:120 nC
工作温度:-55 C
Pd-功率耗散:230 W
通道模式:增强
资质:AEC-Q101
封装:Tube
配置:单
高度:4.4毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:9.25毫米
商标:Infineon / IR
下降时间:82 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:110 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:48 ns
典型中断时间:18 ns
零件号别名:AUIRF1405ZS SP001519512
单位重量:4 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许Tjmax
无铅,符合RoHS
汽车合格*
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计,

利用的处理技术,使每个硅面积的导通电阻极低。

 此设计的其他功能是175°C的结温,快速的开关速度

和改进的重复雪崩额定值。 这些功能相结合,

使该设计成为一种非常有效且可靠的器件,

可用于汽车应用以及各种其他应用。

额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

150

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

110

IDM

Pulsed Drain Current 

600

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

230

W

 

Linear Derating Factor

1.5

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)

270

mJ

EAS (tested)

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

420

IAR

Avalanche Current 

See Fig.15,16, 12a, 12b

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy

mJ

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300